紫光、南京敲定半导体基地建设,扩张 3D NAND Flash 产能

紫光、南京敲定半导体基地建设,扩张 3D NAND Flash 产能

中国紫光集团董事长赵伟国日前才透露,未来一年将再砸 460 亿美元在中国成都、南京各建一座晶圆厂,而话才说没多久,18 日紫光与南京市政府已就半导体产业基地项目正式签约。

18 日紫光集团与南京市政府正式就半导体产业基地项目进行签约,包含紫光集团董事长赵伟国、南京市所辖江苏省委书记李强、省委副书记暨省长石泰峰、南京市委书记吴政隆等人都出席签约仪式。

据悉,此次半导体基地投资主要将用于生产 3D NAND Flash、DRAM 等记忆体晶片,土地面积约 1500 亩,一期将投入约 100 亿美元,目标月产能约 10 万片,但官方并未透露量产的明确时程。

紫光集团先前联合武汉新芯共组长江存储,有意从 3D NAND Flash 取道进入记忆体产业,技术来源就是与现已併入赛普拉斯(Cypress)的飞索半导体(Spansion)合作,传闻双方目标在 2017 年或 2018 年初推出 32 层堆叠 3D NAND Flash,然目前仍未有动静,长江存储近日甚至发布新闻稿澄清,从未发表过  32 层 3D NAND Flash 今年量产的消息,目前连要生产的产品都还未有着落。

紫光/长江存储量产 3D NAND Flash 产品的厂房日前才在 12 月底动土,项目总投资金额约 240 亿美元,预期于 2018 年完成建厂投产、2020 年完成整个项目,总产能将达到 30 万片一个月。紫光集团赵伟国在 11 日喊出 2017 年将在南京与成都再投资半导体製造基地,这三个基地的总投资金额超过 700 亿美元。

紫光与成都政府去年 12 月 13 日已签署《紫光 IC 国际城项目合作框架协议》规划于成都建厂,现在 18 日再与南京市政府签约,就看紫光何时真正开始展开建设!

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